 |
| إنتل تتبع قانون مور مع خطة لتصنيع أول رقائق 7 نانومتر هذا العام |
أعلنت شركة صناعة الرقائق إنتل اليوم عن عزمها إنشاء مصنع تجريبي لاستكشاف عملية التصنيع القادمة وفق تقنية 77 نانومتر، فيما يعتبر نقلة نوعية وتطوراً كبيراً فيما يخص اتباع الشركة لقانون مور ومحاولتها إبقائه على قيد الحياة.
واعتبر قانون مور على مدى العقود الماضية الموجه الأساسي لشركة إنتل من أجل تصنيع رقائق أصغر وأسرع وأكثر كفاءة في استخدام الطاقة، حيث ساعدت جهودها مصنعي اجهزة الحاسب على تصغير أحجام الحواسيب والهواتف المحمولة مع إضافة عمر أطول للبطارية.
وتحاول الشركة المحافظة على هذا النهج منذ فترة طويلة باعتباره وسيلة لدفع تكنلولوجيا الرقائق إلى الأمام، بينما يجادل بعض الخبراء حول نهاية صلاحية قانون مور عندما يصبح من المستحيل فعلياً وضع المزيد على رقائق أصغر.
ويعمل المصنع التجريبي على اختبار وتحديد مكامن الخلل في عملية التصنيع وفق تقنية 7 نانومتر، بدون أن تحدد الشركة جدولاً زمنياً لبدء شحن الرقائق المصنعة وفق هذه التقنية، حيث ان هذه الخطوة قد لا ترى النور قبل حوالي 3 ثلاث سنوات.
ورغم كون المصنع التجريبي محدود الإنتاجية إلا أنه يمهد الطريق لشركة إنتل لاستثمار مليارات الدولارات في مصانع أكبر لتصنيع رقائق أصغر وفق تقنية 7 نانومتر.
وصنعت شركة إنتل أحدث رقائق معالجاتها المعتمدة على معمارية Kaby Lake وفق تقنية التصنيع 14 نانومتر، وتتجه الشركة حالياً إلى تقنية 10 نانومتر مع رقائق Cannonlake المرتقبة، والتي تنوي الشركة توفيرها بكميات قليلة بحلول نهاية العام الجاري.
وظهرت رقائق Cannonlake المرتقبة ضمن جهاز حاسب جرى عرضه في معرض الإلكترونيات الإستهلاكية CES 2017 الذي عقد في وقت سابق من هذا الشهر، وتأتي عملية التصنيع 7 نانومتر بعد عملية التصنيع 10 نانومتر.
وقد ساعد قانون مور شركة إنتل على إصدار رقائق جديدة على أساس سنوي منتظم، وقد فسرت الشركة قانون مور باعتباه وسيلة لمضاعفة عدد الترانزستورات في الرقائق كل 18 إلى 24 شهراً، مما يضاعف الأداء، لكن هذا التفسير لم ينجح في عملية 14 نانومتر.
وأصبح الأمر بمثابة تحدي لإضافة المزيد من الترانزستورات ضمن أشكال هندسية أصغر، وحاولت إنتل التعامل مع تأخير المنتج المحرج بالنسبة لها مما اضطرها إلى الابتعاد عن الجدول الزمني الممتد لعقود فيما يخص عملية التصنيع كل سنتين.
كما ابتعدت إنتل بعيداً عن سياستها التاريخية فيما يخص تصنيع اثنين من تقنيات الرقائق الجديدة مع كل دورة تصنيع، وتمكنت من تقديم ثلاث تقنيات جديدة هي Broadwell وSkylake وKaby Lake عبر عملية 14 نانومتر.
ولا تشعر الشركة حالياً بالقلق حول مضاعفة عدد الترانزستورات مع كل جيل من أجيال الرقائق الجديدة، بحيث تحول الشركة الآن لتفسير قانون مور بشكل أكثر انسجاماً مع القضايا الاقتصادية المتعلقة بالتكلفة لكل ترانزستور.
وصرحت الشركة في العام الماضي بانها تحاول العودة إلى دورة التصنيع السابقة لها كل عامين مع تقنية 7 نانومتر، ولكن مع تصاميم رقائق أكثر ذكاء، وقد تجلب عملية التصنيع 7 نانومتر تغييرات جذرية في تصميم الرقائق، بحيث تكون أصغر بكثير وذات كفاءة أكبر من حيث استهلاك الطاقة.
وتخطط إنتل لاستخدام مواد غريبة III-V مثل نتريد الغاليوم لرقائق أسرع يمكنها توفير أجهزة حواسيب محمولة ذات عمر بطارية أطول، وتتطلع الشركة إلى أن تساعدها عملية 7 نانومتر في التخفيف من حدة بعض التحديات التي تواجهها فيما يخص تقنية 10 و14 نانومتر.
وقد ألمحت الشركة إلى انها سوف تقدم أدوات الأشعة فوق البنفسجية المتطرفة EUV في عملية التصنيع، والتي تساعد في عملية حفر الملامح الدقيقة للرقائق، والتي تم تأجيل استعمالها عدة مرات.
وتتجه أنظار العديد من المنافسين مثل سامسونج وGlobalfoundries إلى البدء بعملية التصنيع 7 نانومتر، حيث صرحت Globalfoundries بانها ستبدأ تصنيع الرقائق وفق تقنية التصنيع 7 نانومتر بحلول عام 2018، بينما أصدرت شركة ARM أدوات لتصميم الرقائق وفق تقنية 7 نانومتر.
وقد بدأت شركتا Globalfoundries وسامسونج عملية تصنيع الرقائق وفق تقنية 10 نانومتر، كما قامت كوالكوم بذلك عبر معالج Snapdragon 835، والذي يظهر قريباً على الهواتف الذكية.